Name: Infineon Technologies IPS65R1K0CEAKMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPS65R1K0CEAKMA1
Availability: InStock
Rating: 5 (191 reviews)

Infineon Technologies IPS65R1K0CEAKMA1

Artikelnummer:

IPS65R1K0CEAKMA1

Hersteller / Marke:

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)

Teil der Beschreibung.:

MOSFET N-CH 650V 4.3A TO251

Datenblätte:

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Spezifikationen
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Versandinformationen
Verpackung

~~Infineon Technologies IPS65R1K0CEAKMA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments IPS65R1K0CEAKMA1.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	3.5V @ 200µA
Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	TO-251
Serie	CoolMOS™ CE
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1Ohm @ 1.5A, 10V
Verlustleistung (max)	37W (Tc)
Verpackung / Gehäuse	TO-251-3 Stub Leads, IPak
Paket	Tube
Betriebstemperatur	-40°C ~ 150°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Through Hole
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	328 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15.3 nC @ 10 V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	4.3A (Tc)
Grundproduktnummer	IPS65R
IPS65R1K0CEAKMA1 Einzelheiten PDF [English]	IPS65R1K0CEAKMA1 PDF - EN.pdf

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Rückgaben werden nach 60 Tagen nicht akzeptiert.Zurückgegebene Elemente müssen in Originalverpackungen und einem realierbaren Zustand sein.Rückgaben aufgrund von Kundenfehlern zum Zeitpunkt des Angebots oder des Kaufs werden nicht akzeptiert.Wenden Sie sich vor dem Versand an den Kundendienst für die Rücksendung der Genehmigung.

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